Компания CREE Inc. была основана в 1987 г. в штате Северная Каролина (США). Основным направлением компании была и остается по сей день разработка и производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния (SiC). В начале 90-х годов компания начала интенсивные исследования в области светоизлучающих структур нитрида галлия (GaN) и твердых растворов на его основе на подложках из SiC. Благодаря уникальным технологиям производства полупроводниковых материалов на основе SiC, продукция CREE обладает высочайшей надежностью и недостижимыми для конкурентов электрическими характеристиками, что делает возможным ее применение как в бытовой и промышленной, так и в космической аппаратуре.
На сегодняшний день компания Cree является мировым лидером в производстве монокристаллов из карбида кремния и занимает лидирующую позицию как производитель полупроводниковых приборов на основе SiC и GaN на подложках из SiC.
В настоящее время в компании Cree сформировалось пять основных подразделений:
• Materials - производство SiC пластин и эпитаксиальных структур
• LED Chips - светодиодные кристаллы
• Xlamp LEDs - светодиодные лампы
• Power Devices - силовые полупроводниковые приборы на основе SiC, включая высоковольтные диоды Шоттки
• Wireless Devices - СВЧ приборы на основе SiC и GaN
На сегодняшний день компания Cree является мировым лидером в производстве монокристаллов из карбида кремния и занимает лидирующую позицию как производитель полупроводниковых приборов на основе SiC и GaN на подложках из SiC.
В настоящее время в компании Cree сформировалось пять основных подразделений:
• Materials - производство SiC пластин и эпитаксиальных структур
• LED Chips - светодиодные кристаллы
• Xlamp LEDs - светодиодные лампы
• Power Devices - силовые полупроводниковые приборы на основе SiC, включая высоковольтные диоды Шоттки
• Wireless Devices - СВЧ приборы на основе SiC и GaN
